IT之家 3 月 22 日消息，据韩媒《朝鲜日报》，SK 海力士正考虑在其 HBM4E 中为承担核心处理功能的“逻辑芯片”引入台积电 3nm 工艺，从而进一步获取性能优势。业内消息人士 3 月 20 日透露，SK 海力士计划在 HBM4E 的“核心芯片”（即堆叠的 DRAM）上使用 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺，而逻辑芯片则采用台积电的 3nm 工艺。相比之下，今年 SK 海力士向英伟达供应的 HBM4 采用了 10nm 级第 5 代（1b）DRAM 核心芯片，逻辑芯片则使用台积电 12nm 工艺；而三星电子的 HBM4 则采用了 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺的核心芯片及 4nm 的逻辑芯片。尽管 SK 海力士是目前英伟达最大的 HBM4 供应商，但据称其在性能评估方面却收到了落后于三星的评价。如IT之家前文所述，三星在 HBM4 上应用了比 SK 海力士更先进的工艺，所以性能领先也在情理之中。SK 海力士此番在 HBM4E 的逻辑芯片上引入 3nm 工艺，显然是意在扭转这一局面。如果说 HBM4 更侧重于通过成熟工艺保障稳定性，那么 HBM4E 则旨在...