英伟达罕见入局内存研发:联手三星共同推进铁电 NAND 商业化

IT之家 3 月 13 日消息,得益于 AI 需求,包括 HBM 和 NAND 闪存在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求的局面。在此背景下,英伟达正加强与战略伙伴的前瞻性技术合作,而不仅仅停留在简单的供应关系上。据《首尔经济日报》昨日报道,英伟达现已加入了三星电子的研发行列,共同开发新的 AI 技术并合作研发铁电 NAND 闪存。英伟达直接参与内存研发,尤其是尚未商业化的铁电 NAND 这类未来技术,实属罕见之举。铁电 NAND 正被视作一项有望同时破解大型科技公司当前面临的两大难题的突破性技术:内存芯片短缺与 AI 数据中心的电力危机。该技术通过实现高达 1000 层的堆叠,并最多可降低 96% 的功耗,为行业提供了新的解决思路。市场研究机构 Omdia 于 3 月 12 日发布的最新数据显示,全球 NAND 供应量在 2022 年达到峰值,出货量达 2138.7 万片(晶圆),而预计今年将下降至 1540.8 万片。即便到 2028 年,供应量也仅能恢复至 1761 万片,远远无法满足激增的市场需求。随着 NAND 短缺问题日益严峻,价格已出现飙升,仅今年第一季度环比涨幅就达到 ...

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